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Infineon kauft Siltectra und setzt auf Cold-Split-Technologie

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  • Infineon kauft Siltectra und setzt auf Cold-Split-Technologie

    Infineon-Dresden



    Das Halbleiterunternehmen Infinion übernimmt das Dresdner Startup Siltectra für 124 Millionen Euro. Letzteres hat ein innovatives Verfahren namens Cold Split entwickelt, das bei der Spanverarbeitung verwendet wird, um Material und Prozesskristalle effizienter zu sparen.

    Infineon plant, die Cold-Split-Technologie zur Spaltung von Siliciumcarbid-Scheiben (SiC-Wafern) einzusetzen, wodurch das Unternehmen die Möglichkeit erhält, "Siliciumcarbid-Wafer (SiC-Wafer) aufzuspalten und damit die Anzahl der Chips eines Wafers zu verdoppeln. SiC-Produkte werden unter anderem im Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen eingesetzt.

    Der Venture-Capital-Investor MIG Fonds arbeitet als Vertragspartner für Siltectra, die zuvor Eigentümerin des Unternehmens war. Mit diesem Unternehmen wurden die bereits erwähnten 124 Millionen Euro für die Akquisition von Siltectra vereinbart. „Diese Akquisition wird uns dabei helfen, unser hervorragendes Portfolio auch mit dem neuen Material Siliziumkarbid zu erweitern. Unser Systemverständnis und unser einzigartiges Know-how in der Dünnwafer-Technologie werden durch die Cold-Split-Technologie und die Innovationskraft von Siltectra ideal ergänzt “, sagte Dr. Reinhard Ploss, CEO von Infineon. Ploss hofft, dass die Technologie dazu beitragen wird, ihre Wirtschaft und ihre Ressourcennutzung zu verbessern, zumal das Unternehmen neben der wachsenden EV-Branche expandieren will.

    Siltectra wurde 2010 gegründet und besitzt laut Infineon ein Patentportfolio mit mehr als 50 Patentfamilien. Die Weiterentwicklung der Cold-Split-Technologie erfolgt in der bisherigen und aktuellen Siltectra-Anlage in Dresden sowie in der Infineon-Anlage in Vallach, Österreich. Infineon hat bekannt gegeben, dass es derzeit das einzige Unternehmen der Welt ist, das Halbleiter auf 300-mm-Siliziumwafern im industriellen Maßstab herstellen kann. Diese Technologie kann nun auf SiC übertragen werden. Der Einsatz der Technologie im industriellen Maßstab soll in den nächsten fünf Jahren realisiert werden.

    infineon.com
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